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2SC2996

更新时间: 2024-09-25 22:52:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 309K
描述
TRANSISTOR (FM/AM, RF, MIX, LOCAL, IF HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SC2996 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.44
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:1.3 pF
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-236JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):350 MHz

2SC2996 数据手册

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