2SC2625

更新时间： 2024-01-06 23:39:09

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4页	189K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2625 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SC2625 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2625

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High voltage,high speed switching

·High reliability

APPLICATIONS

·Switching regulators

·Ultrasonic generators

·High frequency inverters

·General purpose power amplifiers

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings (Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

450

400

UNIT

Open base

Open collector

I_B

Base current

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction to case

1.55

℃/W

12 3 4

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