2SC1756

更新时间： 2024-02-13 10:07:11

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	151K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1756 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.53	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	140 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

2SC1756 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1756

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·For TV chroma,video ,audio

output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

VALUE

300

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current-peak

0.2

I_CM

0.7

T_a=25℃

T_C=25℃

1.2

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-40~150

℃

T_stg

12 3 4

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