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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.83 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB937AH | PANASONIC |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| 2SB937AP | PANASONIC |
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Si PNP EPITAXIAL PLANAR |
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| 2SB937AQ | PANASONIC |
获取价格 |
Si PNP EPITAXIAL PLANAR |
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| 2SB937AR | PANASONIC |
获取价格 |
Si PNP EPITAXIAL PLANAR |
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| 2SB937ATX | PANASONIC |
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暂无描述 |
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| 2SB937H | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| 2SB937P | PANASONIC |
获取价格 |
Si PNP EPITAXIAL PLANAR |
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| 2SB937Q | PANASONIC |
获取价格 |
Si PNP EPITAXIAL PLANAR |
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| 2SB937R | PANASONIC |
获取价格 |
Si PNP EPITAXIAL PLANAR |
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| 2SB937TX | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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