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2SB624BV5

更新时间： 2024-01-31 18:14:03

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2页	268K
描述
Transistor

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2SB624BV5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-59	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.22	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	160 MHz	Base Number Matches：	1

2SB624BV5 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

2SB624 TRANSISTOR (PNP)

SOT-23

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

FEATURES

High DC current gain. h_FE:200 TYP.(V_CE=-1V,I_C=-100mA)

Complimentary to 2SD596.

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Value

-30

Units

-25

-5

Collector Current -Continuous

Total Device Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

-700

200

℃

P_D

T_J

150

T_stg

-55-150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-30

-25

-5

I_C=-100μA, I_E=0

I_C= -1mA, I_B=0

I_E= -100μA, I_C=0

V_CB=-30 V , I_E=0

-0.1

400

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= -5V ,

I_C=0

h_FE(1)

V_CE= -1V, I_C= -100mA

V_CE=-1V, I_C= -700mA

I_C=-700 mA, I_B= -70mA

V_CE=-6V, I_C=-10mA

110

DC current gain

h_FE(2)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

-0.6

-0.7

V_BE

-0.6

Transition frequency

_CE= -6V, I_C= -10mA

160

MHz

f_T

Collector Output Capacitance

Cob

VCB=-6V,IE=0,f=1MHZ

* Pulse test : Pulse width ≤350μs,Duty Cycle≤2%.

CLASSIFICATION OF h^FE

(1)

BV1

BV2

BV3

BV4

200-320

BV5

250-400

Marking

Range

110-180

135-220

170-270

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SB624BV5-T1B-A	RENESAS	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL	获取价格
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