2SB1430

更新时间： 2024-01-14 12:44:07

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	227K
描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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2SB1430 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.21
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1430 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

2SB1430

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -100V(Min)

·High DC Current Gain-

: h_FE= 2000(Min)@ (V_CE= -2V, I_C= -2A)

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -1.5V(Max)@ (I_C= -2A, I_B= -2mA)

APPLICATIONS

·Designed for low-frequency power amplifiers and low-

speed switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-100

-7

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

-5

I_CM

-10

I_B

-0.5

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55~150

℃

T_J

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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