是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Lifetime Buy | 零件包装代码: | SC-67 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.38 | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 5 A | 集电极-发射极最大电压: | 100 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 20 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
功耗环境最大值: | 30 W | 最大功率耗散 (Abs): | 30 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 5 MHz |
VCEsat-Max: | 2 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SB1016A_07 | TOSHIBA |
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Power Amplifier Applications | |
2SB1016AO | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB | |
2SB1016AY | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB | |
2SB1016A-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-10R1A, 3 PIN, BIP General Purpose Powe | |
2SB1016O | ISC |
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Transistor | |
2SB1016R | ISC |
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暂无描述 | |
2SB1016R | TOSHIBA |
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暂无描述 | |
2SB1016Y | ISC |
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Transistor | |
2SB1017 | UTC |
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PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | |
2SB1017 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |