2SA886

更新时间： 2024-02-04 11:28:23

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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA886 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SIP	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SA886 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA886

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SC1847

·Low collector-emitter saturation voltage

APPLICATIONS

·For low-frequency power amplification

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute Maximun Ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-50

UNIT

Open emitter

Open base

-40

Open collector

-5

-1.5

I_CM

Collector current-peak

-3.0

1.2*¹

5*²

P_C

Collector power dissipation

T_C=25℃

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55~150

Note) *1: Without heat sink

*2: With a 100 × 100 × 2 mm A1 heat sink

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