2SA636

更新时间： 2024-01-26 06:27:48

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	150K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA636 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SA636 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA636 2SA636A

DESCRIPTION

·With TO-202 package

·Complement to type 2SC1098/1098A

·High breakdown voltage

·High transition frequency

APPLICATIONS

·For audio frequency power amplifier and

low speed switching applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-202) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-70

UNIT

V_CBO

2SA636

-45

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

2SA636A

-60

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Collector current-peak

Base current

Open collector

-5

-3

-5

-0.6

T_C=25℃

T_a=25℃

P_T

Total power dissipation

1.2

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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