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2SA2097

更新时间： 2024-02-22 18:30:16
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体转换器小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
5页 124K
描述
High-Speed Swtching Applications DC-DC Converter Applications

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2SA2097 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.5Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SA2097 数据手册

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2SA2097  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type  
2SA2097  
High-Speed Swtching Applications  
DC-DC Converter Applications  
Unit: mm  
·
·
·
High DC current gain: h  
= 200 to 500 (I = −0.5 A)  
C
FE  
Low collector-emitter saturation: V  
= −0.27 V (max)  
CE (sat)  
High-speed switching: t = 55 ns (typ.)  
f
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
-50  
-50  
V
V
V
-7  
DC  
Collector current  
I
-5  
C
A
A
Pulse  
I
-10  
CP  
Base current  
I
-0.5  
1
B
JEDEC  
JEITA  
―
Ta = 25°C  
Collector power  
Pc  
W
dissipation  
SC-64  
2-7J1A  
Tc = 25°C  
20  
Junction temperature  
T
j
150  
°C  
°C  
TOSHIBA  
Storage temperature range  
T
-55 to 150  
stg  
Weight: 0.36 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector cut-off current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
= -50 V, I = 0  
¾
¾
¾
¾
-100  
-100  
¾
nA  
nA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= -7 V, I = 0  
C
EBO  
(BR) CEO  
Collector-emitter brakedown voltage  
V
I
= -10 mA, I = 0  
-50  
200  
100  
¾
¾
C
B
h
FE  
h
FE  
(1)  
(2)  
V
V
= -2 V, I = -0.5 A  
¾
500  
¾
CE  
CE  
C
DC current gain  
= -2 V, I = -1.6 A  
¾
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Rise time  
V
I
I
= -1.6 A, I = -53 mA  
¾
-0.27  
-1.10  
¾
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
C
C
B
V
= -1.6 A, I = -53 mA  
¾
¾
B
t
¾
63  
280  
55  
r
See Figure 1 circuit diagram  
~
-
Switching time  
V
-24 V, R = 15 W  
ns  
Storage time  
Fall time  
t
¾
¾
CC  
L
stg  
I
= -I = -53 mA  
B1  
B2  
t
¾
¾
f
1
2002-08-21  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA2097(TE16L1) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252
2SA2097(TE16L1,NQ) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR PNP 50V 5A SC-62
2SA2097(TE16L1,Q) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252
2SA2097_06 TOSHIBA

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