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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | 2-16C1A, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.4 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 230 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | VCEsat-Max： | 3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2STA1962 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1986_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Amplifier Applications |
|
| 2SA1986O | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 230V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
|
| 2SA1986-O(Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
|
| 2SA1986R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 230V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
|
| 2SA1986-R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
|
| 2SA1986-R(Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SA1987 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SA1987 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1987 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1987 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors 2SA1987 |
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