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2SA1943

更新时间： 2024-02-20 16:48:24

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	221K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1943 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	3.86
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
2D Presentation：	https://componentsearchengine.com/2D/0T/832550.2.1.png	Schematic Symbol：	https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=832550
PCB Footprint：	https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=832550	3D View：	https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=832550
Samacsys PartID：	832550	Samacsys Image：	https://componentsearchengine.com/Images/9/2SA1943RTU.jpg
Samacsys Thumbnail Image：	https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/2SA1943RTU.jpg	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	Transistor BJT PNP	Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：	TO-264TO?264?3LD CASE 340CA ISSUE O	Samacsys Released Date：	2018-01-10 09:57:16
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	17 A
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	55	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1943 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1943

DESCRIPTION

·With TO-3PL package

·Complement to type 2SC5200

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommended for 100W high fidelity audio

frequency amplifier output stage

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

MAX

-230

-5

UNIT

Open base

Open collector

-15

I_B

Base current

-1.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

150

ꢀ

T_j

150

T_stg

-55~150

ꢀ

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