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2SA1879

更新时间： 2024-02-07 13:42:08

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	113K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1879 数据手册

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Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1879

DESCRIPTION

·With ITO-220 package

·Switching power transistor

·Low collector saturation voltage

PINNING

PIN

1

DESCRIPTION

Base

2

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (ITO-220) and symbol

3

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-80

UNIT

V

Open base

-80

V

Open collector

-7

V

-7

A

I_CM

Collector current-Peak

Base current

-14

A

I_B

-1.5

-2

A

I_BM

Base current-Peak

A

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

25

W

℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction case

5.0

℃/W

12 3

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