2SA1869

更新时间： 2024-01-10 01:41:50

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	167K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1869 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	SC-67	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.36
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	10 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	NOT SPECIFIED
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.6 V	Base Number Matches：	1

2SA1869 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1869

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·Complement to type 2SC4935

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-50

UNIT

Open base

-50

Open collector

-5

-3

I_B

Base current

-0.3

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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