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2SA1797

更新时间： 2024-06-27 12:11:31

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4页	543K
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SOT-89

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2SA1797 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.56	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1797 数据手册

2SA1797

BIPOLAR TRANSISTOR (PNP)

FEATURES

 Complementary to 2SC4672

 Excellent DC current gain Characteristics

 Low saturation voltage

 Surface Mount device

SOT-89

MECHANICAL DATA



Case: SOT-89

Case Material: Molded Plastic. UL flammability

Classification Rating: 94V-0

Weight: 0.055 grams (approximate)

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_CBO

Value

Unit

Collector-Base Voltage

-50

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_EBO

-6

Collector Current

-2

Peak Collector Current

ICM

-3

Collector Power Dissipation

500

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

150

TSTG

-55 ~+150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol Min Typ Max Unit

Conditions

V(BR)CBO

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

-50

-6

I_C=-50uA，I_E=0

I_C=-1mA，I_B=0

I_E=-50uA，I_C=0

V(BR)CEO

V(BR)EBO

I_CBO

-0.1

uA V_CB=-50V, I_E=0

Emitter cut-off current

V_EB=-5V, I_C=0

I_EBO

V_CE=-2V, I_C=-500mA

I_C=-1A，I_B=-50mA

DC current gain

h_FE

390

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

-0.35

V_CE=-2V,I_C=-0.5A,f=100

200

MHz

V_CB=-10V, I_E=0, f=1

Collector output capacitance

C_ob

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

Range

82-180

AGP

120-270

AGQ

180-390

AGR

Marking

1 / 4

©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD

E-mail:hkt@heketai.com

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