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2SA1615-Z

更新时间： 2024-02-10 08:59:13

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科信 - KEXIN		晶体晶体管开关
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Silicon Power Transistors

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2SA1615-Z 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.01 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1615-Z 数据手册

SMD Type

Transistors

Silicon Power Transistors

2SA1615-Z

TO-252

Unit: mm

6.50^+0.15

-0.15

2.30^+0.1

-0.1

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

Features

Large current capacity.

High hFE and low collector saturation voltage.

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-30

Unit

-20

-10

Collector current pulse

Base current

I^cp*

I^B

-15

-0.5

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^T

1.0

T^j

150

Tstg

-55 to +150

* PW

10 ms, duty cycle

50%

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

Typ

Max

-1

Unit

ìA

VCB = -20V, IE=0

I^EBO

VEB = -8V, IC=0

-1

ìA

V^CE= -2V , IC = -0.5A

V^CE= -2.0 V, IC =-4.0 A

200

160

600

DC current gain *

h^FE

Collector-emitter saturation voltage *

Base saturation voltage *

Gain bandwidth product

Output capacitance

Turn-on time

V^CE(sat)IC = -4A , IB = -0.05A

V^BE(sat)IC = -4A , IB = -0.05A

-0.2 -0.25

-0.9

180

220

-1.2

f^T

C^ob

t^on

t^stg

t^f

VCE = -5V , IE = 1.5A

MHz

VCB = -10V , IE = 0 , f = 1.0MHz

IC = -5.0 A, IB1 = -IB2 = 0.125 A,

RL = 2.0 , VCC = -10 V

Storage time

300

Fall time

* Pulse test: tp

350 ìs; d

0.02.

hFE Classification

Marking

hFE

200 400

300 600

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SA1615-Z-E1-AZ	RENESAS	获取价格	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SA1615-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SA1615-ZK	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-252AA
2SA1615-ZK	RENESAS	获取价格	10000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN
2SA1615-ZK-AZ	RENESAS	获取价格	10mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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