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2SA1298

更新时间： 2024-02-20 22:49:54

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Silicon PNP Epitaxial

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2SA1298 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1298 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Silicon PNP Epitaxial

2SA1298

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

High DC current gain: hFE = 100 320

Low saturation voltage: VCE(sat) = -0.4V(max)

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

(I^C=-500 mA, IB =-20 mA)

Suitable for driver stage of small motor

+0.1

1.9

-0.1

Small package

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-30

Unit

-25

-5

-800

Base current

I^B

-160

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^C

200

T^j

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

Typ

Max

-0.1

Unit

ìA

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

VCB = -30 V, IE = 0

VEB = -50 V, IC = 0

I^EBO

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

DC current gain

V^{(BR) CEO}IC = -10 mA, IB = 0

V^{(BR) EBO}IE = -0.1 mA, IC = 0

-25

-5

h^FE

VCE = -1 V, IC = -100 mA

100

320

-0.4

-0.8

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V^{CE (sat)}IC = -500 mA, IB = -20 mA

VBE

f^T

VCE = -1 V, IC = -10 mA

VCE = -5 V, IC = -10 mA

VCB = -10 V, IE = 0, f = 1 MHz

-0.5

Transition frequency

120

MHz

Collector output capacitance

C^ob

hFE Classification

Marking

hFE

100 200

160 320

www.kexin.com.cn

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