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2SA1037

更新时间： 2024-02-24 22:52:27

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	145K
描述
General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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2SA1037 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1037 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General Purpose Transistors

PNP Silicon

2SA1037AK*LT1

COLLECTOR

BASE

EMITTER

CASE 318–08, STYLE 6

SOT– 23 (TO–236AB)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

Value

–50

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

–60

–6.0

–150

0.2

mAdc

P _C

T _j

150

°C

T _stg

-55

+150

°C

DEVICE MARKING

2SA1037AK*LT1 =G3F

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= –1 mA)

V _(BR)CEO

– 50

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I_E= – 50 µA)

V _(BR)EBO

V _(BR)CBO

I _CBO

– 6

– 60

—

Collector–Base Breakdown Voltage

(I_C= – 50 µA)

Collector Cutoff Current

(V_CB= – 60 V)

– 0.1

µA

Emitter cutoff current

I _EBO

—

(V_EB= – 6 V)

Collector-emitter saturation voltage

(I_C/ I_B= – 50 mA / – 5m A)

DC current transfer ratio

(V _CE= – 6 V, I _C= –1mA)

Transition frequency

V _CE(sat)

h _FE

—

-0.5

560

120

––

f _T

—

140

4.0

––

MHz

(V _CE= – 12 V, I _E= 2mA, f=30MHz )

Output capacitance

C _ob

5.0

(V _CB= – 12 V, I _E= 0A, f =1MHz )

h _FEvalues are classified as follows:

hFE

120~270

180~390

270~560

M35–1/3

12 3

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