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2N6037

更新时间： 2024-01-04 19:05:22

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	124K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6037 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	25 MHz
Base Number Matches：	1

2N6037 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6037 2N6038 2N6039

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2N6034/6035/6036

·DARLINGTON

·High DC current gain

APPLICATIONS

·Designed for general-purpose amplifier

and low-speed switching applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N6037

2N6038

2N6039

2N6037

2N6038

2N6039

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

Collector current-peak

Base current

0.1

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

3.12

℃/W

12 3

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与2N6037相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6037LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格
2N6037NPN	CDIL	SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	获取价格
2N6038	STMICROELECTRONICS	MIDIUM POWER DAR;OMGTONS	获取价格
2N6038	ONSEMI	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors	获取价格
2N6038	CDIL	SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	获取价格
2N6038	NJSEMI	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS	获取价格