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2N5087

更新时间： 2024-02-26 00:45:57

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摩托罗拉 - MOTOROLA		/
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8页	304K
描述
CASE 29.04, STYLE 1 TO-92 (TO-226AA)

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2N5087 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	4 pF	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	250
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V

2N5087 数据手册

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by 2N5087/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

PNP Silicon

COLLECTOR

Motorola Preferred Device

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

CASE 29–04, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

CEO

CBO

EBO

3.0

Vdc

Collector Current — Continuous

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

200

Unit

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(1)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

—

Vdc

(BR)CEO

(I = 1.0 mAdc, I = 0)

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 µAdc, I = 0)

(BR)CBO

Collector Cutoff Current

(V = 35 Vdc, I = 0)

nAdc

CBO

Emitter Cutoff Current

(V = 3.0 Vdc, I = 0)

EBO

1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

(Replaces 2N5086/D)

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1997

12 3 4 5 6 7 8

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