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2N4401

更新时间： 2024-01-22 09:52:55

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	285K
描述
General purpose application

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2N4401 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.66	基于收集器的最大容量：	6.5 pF
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	255 ns	VCEsat-Max：	0.75 V
Base Number Matches：	1

2N4401 数据手册

2N4401

NPN Silicon Transistor

Descriptions

• General purpose application

• Switching application

PIN Connection

Features

• Low Leakage current

• Low collector saturation voltage enabling

low voltage operation

• Complementary pair with 2N4403

TO-92

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

TO-92

2N4401

Absolute maximum ratings

Ta=25°C

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-base voltage

0.6

A(DC)

Collector current

I_CP*

P_C

1.2

A(Pulse)

°C

Collector dissipation

Junction temperature

500

T_j

150

Storage temperature range

T_stg

-55~150

°C

* : Single pulse, tp= 300 ㎲

KSD-T0A078-000

12 3 4 5

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