是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.78 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 30 A |
集电极-发射极最大电压: | 60 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 15 | 最大降落时间(tf): | 600 ns |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
功耗环境最大值: | 5 W | 最大功率耗散 (Abs): | 200 W |
最大上升时间(tr): | 400 ns | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 4 MHz | VCEsat-Max: | 4 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N4399LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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2N4399MP | NJSEMI | Trans GP BJT PNP 60V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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2N439A | NJSEMI | NPN HIGH FREQUENCY COMPUTER TRANSISTORS |
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2N43A | ETC | alloy-junction germanium transistors |
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2N440 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | TO-5 |
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2N4400 | MICRO-ELECTRONICS | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
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