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2N4393

更新时间： 2024-02-28 01:52:50
品牌 Logo 应用领域
RHOPOINT 晶体晶体管场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
14页 387K
描述
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

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2N4393 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.7
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最大漏源导通电阻：100 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-CDSO-N6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N4393 数据手册

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01/99  
B-13  
2N4391, 2N4392, 2N4393  
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor  
Absolute maximum ratings at T = 25¡C  
¥ Low On Resistance Analog  
Switches  
A
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage  
Continuous Forward Gate Current  
Continuous Device Power Dissipation  
Power Derating  
– 40 V  
50 mA  
1.8 W  
¥ Choppers  
12 mW/°C  
¥ Commutators  
2N4391  
2N4392  
2N4393  
Process NJ132  
Test Conditions  
At 25°C free air temperature  
Static Electrical Characteristics  
Min Max Min Max Min Max Unit  
Gate Source Breakdown Voltage  
V
– 40  
– 40  
– 40  
V
– 100 pA  
– 200 nA  
I = – 1µA, V = ØV  
G DS  
(BR)GSS  
– 100  
– 200  
– 100  
– 200  
V
= – 20V, V = ØV  
DS  
GS  
Gate Reverse Current  
I
GSS  
V
= – 20V, V = ØV  
DS  
T = 150°C  
A
GS  
Gate Source Cutoff Voltage  
V
– 4  
50  
– 10 – 2  
1
– 5 – 0.5 – 3  
V
V
V
= – 20V, I = 1 nA  
GS(OFF)  
DS D  
Gate Source Forward Voltage  
Drain Saturation Current (Pulsed)  
V
1
1
I = 1 mA, V = ØV  
G DS  
GS(F)  
I
150  
25  
75  
5
30  
mA  
pA  
nA  
pA  
nA  
pA  
nA  
V
V
= 20V, V = ØV  
DSS  
DS GS  
100  
200  
V
= 20V, V = – 5V  
GS  
DS  
V
= 20V, V = – 5V  
GS  
T = 150°C  
A
DS  
100  
200  
V
= 20V, V = – 7V  
GS  
DS  
Drain Cutoff Current  
I
D(OFF)  
V
= 20V, V = – 7V  
GS  
T = 150°C  
A
DS  
100  
200  
V
= 20V, V = – 12V  
GS  
DS  
V
= 20V, V = – 12V  
GS  
T = 150°C  
A
DS  
0.4  
V
= ØV, I = 3 mA  
D
GS  
Drain Source ON Voltage  
V
0.4  
60  
V
V
= ØV, I = 6 mA  
GS D  
DS(ON)  
0.4  
30  
V
V
= ØV, I = 12 mA  
D
GS  
Static Drain Source ON Resistance  
r
100  
Ω
V
= ØV, I = 1 mA  
DS(ON)  
GS D  
Dynamic Electrical Characteristics  
Drain Source ON Resistance  
r
30  
14  
60  
14  
100  
14  
Ω
V
= ØV, I = ØA  
D
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
ds(on)  
GS  
Common Source Input Capacitance  
C
pF  
pF  
pF  
pF  
V = 20V, V = ØV  
DS GS  
iss  
3.5  
V
= ØV, V = – 5V  
GS  
DS  
Common Source Reverse  
Transfer Capacitance  
C
3.5  
V = ØV, V = – 7V  
DS GS  
rss  
3.5  
V
= ØV, V = – 12V  
GS  
DS  
Switching Characteristics  
Turn ON Delay Time  
Rise Time  
t
t
t
t
15  
5
15  
5
15  
5
ns  
ns  
ns  
ns  
V
= 10V, V  
= ØV  
d(on)  
DD  
GS(ON)  
2N4391 2N4392 2N4393  
r
Turn OFF Delay Time  
Fall Time  
20  
15  
35  
20  
50  
30  
I
12  
6
3
mA  
V
d(off)  
f
D(ON)  
V
– 12  
– 7  
– 5  
GS(OFF)  
TOÐ18 Package  
See Section G for Outline Dimensions  
Surface Mount  
SMP4391, SMP4392, SMP4393  
Pin Configuration  
1 Source, 2 Drain, 3 Gate & Case  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  
1234567...14

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