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2N4117A

更新时间： 2024-01-24 23:19:34
品牌 Logo 应用领域
RHOPOINT 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
17页 358K
描述
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

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2N4117A 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.32Is Samacsys：N
其他特性：ULTRA LOW INPUT CURRENT配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：1.5 pF
JEDEC-95代码：TO-72JESD-30 代码：O-MBCY-W4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N4117A 数据手册

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01/99  
B-9  
2N4117, 2N4117A, 2N4118, 2N4118A, 2N4119, 2N4119A  
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor  
Absolute maximum ratings at T = 25¡C  
¥ Audio Amplifiers  
¥ Ultra-High Input Impedance  
Amplifiers  
A
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage  
Continuous Forward Gate Current  
– 40 V  
50 mA  
300 mW  
2 mW/°C  
Continuous Device Power Dissipation  
Power Derating (to 175°C)  
2N4117  
2N4117A  
2N4118  
2N4118A  
2N4119  
2N4119A  
Process NJ01  
Test Conditions  
At 25°C free air temperature:  
Static Electrical Characteristics  
Min Max Min Max Min Max Unit  
Gate Source Breakdown Voltage  
V
– 40  
– 40  
– 40  
V
I = – 1µA, V = ØV  
G DS  
(BR)GSS  
Gate Reverse Current  
2N4117, 2N4118, 2N4119  
2N4117A, 2N4118A, 2N4119A  
I
– 10  
– 1  
– 10  
– 1  
– 10  
– 1  
pA  
pA  
V
V
= – 20V, V = ØV  
GSS  
GS DS  
V
= – 20V, V = ØV  
DS  
GS  
Gate Source Cutoff Voltage  
V
– 0.6 – 1.8 – 1  
– 3  
– 2  
– 6  
V
= 10V, I = 1 nA  
GS(OFF)  
DS D  
Drain Saturation Current (Pulsed)  
2N4117, 2N4118, 2N4119  
2N4117A, 2N4118A, 2N4119A  
I
0.03 0.09 0.08 0.24  
0.015 0.09 0.08 0.24  
0.2  
0.2  
0.6  
0.6  
mA  
mA  
V
= 10V, V = ØV  
GSS  
DS GS  
V
= 10V, V = ØV  
GS  
DS  
Dynamic Electrical Characteristics  
Common Source Forward  
Transconductance  
g
g
70  
210  
80  
250  
100  
330  
µS  
V
= 10V, V = ØV  
f = 1 kHz  
fs  
DS GS  
Common Source Output Conductance  
Common Source Input Capacitance  
3
3
5
3
10  
3
µS  
pF  
V
= 10V, V = ØV  
f = 1 kHz  
f = 1 MHz  
os  
DS GS  
C
V
= 10V, V = ØV  
iss  
DS GS  
Common Source Reverse  
Transfer Capacitance  
C
1.5  
1.5  
1.5  
pF  
V
= 10V, V = ØV  
f = 1 MHz  
rss  
DS GS  
TOÐ72 Package  
Dimensions in Inches (mm)  
Pin Configuration  
1 Source, 2 Drain, 3 Gate, 4 Case  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  
1234567...17

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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