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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.3 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 |
| JEDEC-95代码： | TO-18 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3965CSM | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1 |
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| 2N3965LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
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| 2N3966 | MICRO-ELECTRONICS | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-72, |
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| 2N3966 | NJSEMI | N-CHANNEL JFETS |
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| 2N3967 | INTERFET | N - CHANNEL JFETS GENERAL - PURPOSE DEVICE TYPES |
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| 2N3967A | INTERFET | N - CHANNEL JFETS GENERAL - PURPOSE DEVICE TYPES |
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