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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.32 |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3504LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
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| 2N3505 | RAYTHEON | Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N3505 | SEME-LAB | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
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| 2N3505 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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| 2N3505 | NJSEMI | Trans GP BJT PNP 60V 3-Pin TO-18 Box |
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| 2N3505 | FAIRCHILD | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, METAL PACKAGE- |
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