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2N2905A

更新时间： 2024-09-23 07:28:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 放大器
页数 文件大小 规格书
3页 227K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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2N2905A 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2N2905A  
ꢀ
Micro Commercial Components  
)HDWXUHVꢀ  
•
General-purpose Transistor for Switching and Amplifier  
Applications  
PNP General  
Purpose Amplifierꢀ  
•
Housed in a TO-39 Case  
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
0D[LPXPꢀ5DWLQJVꢀ  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Rating  
60  
60  
5.0  
600  
Unit  
V
V
V
mA  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current, Continuous  
Operating Junction Temperature  
TJ  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
°
Symbl  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Collector-Emitter Breakdown  
60  
70  
---  
Vdc  
V(BR)CEO Voltage*  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC  
E=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE C=0)  
60  
5.0  
---  
100  
9.0  
---  
---  
50  
10  
50  
Vdc  
Vdc  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICES  
Collector-Emitter Cutoff Current  
(VCE=30Vdc)  
1.0  
nAdc  
nAdc  
nAdc  
ICBO  
IEBO  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=50Vdc)  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=3.5Vdc)`  
---  
0.25  
0.1  
---  
DIMENSIONS  
hFE  
DC Current Gain*  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
MAX  
.370  
.335  
.260  
.75  
MIN  
8.509  
7.747  
6.096  
12.7  
MAX  
9.40  
8.509  
6.604  
19.05  
NOTE  
(IC  
VCE=10Vdc)  
75  
100  
100  
100  
50  
225  
250  
---  
180  
80  
---  
450  
---  
300  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
(IC=1.0mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=150mAdc, VCE10Vdc)  
(IC=500mAdc, VCE=10Vdc)  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
.335  
.305  
.240  
.50  
.200  
5.08  
VCE(sat)  
F
.029  
-----  
.009  
44°  
.028  
.016  
.045  
.050  
.031  
46°  
.034  
.021  
7.366  
-----  
0.229  
44°  
0.711  
0.406  
11.43  
1.27  
7.874  
46°  
0.864  
0.533  
G
H
J
K
L
---  
---  
0.18  
0.5  
0.4  
1.6  
Vdc  
Vdc  
VBE(sat)  
---  
---  
0.87  
1.0  
1.3  
2.6  
Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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与2N2905A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N2905A/TR MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A
2N2905A_02 SEME-LAB

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 		HIGH SPEED MEDIUM POWER PNP SWITCHING TRANSISTOR
2N2905A_02 STMICROELECTRONICS

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2N2905ACSM SEME-LAB

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2N2905ADIE MICROSEMI

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2N2905AHR STMICROELECTRONICS

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2N2905AJ.TX.V RAYTHEON

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2N2905AL SEMICOA

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2N2905AL MICROSEMI

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 		PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
2N2905AL SEME-LAB

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 		Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO5

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