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2N2219A

更新时间： 2024-02-06 00:47:57

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3页	59K
描述
NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS

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2N2219A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.05
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	285 ns	最大开启时间（吨）：	35 ns
Base Number Matches：	1

2N2219A 数据手册

NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS

2N2218A

2N2219A

TO-39

Boca Semiconductor Corp.

BSC

Switching And Linear Application DC And VHF Amplifier Applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DESCRIPTION

SYMBOL

2N2218A,19A

UNIT

Collector -Emitter Voltage

Collector -Base Voltage

Emitter -Base Voltage

Collector Current Continuous

Power Dissipation @Ta=25 degC

Derate Above 25deg C

VCEO

VCBO

VEBO

6.0

800

4.57

3.0

mW/deg C

@ Tc=25 degC

Derate Above 25deg C

Operating And Storage Junction

Temperature Range

17.1

-65 to +200

mW/deg C

deg C

Tj, Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

VALUE

MAX

MIN

6.0

UNIT

Collector -Emitter Voltage

Collector -Base Voltage

Emitter-Base Voltage

VCEO

VCBO

VEBO

ICBO

IC=10mA,IB=0

IC=10uA.IE=0

IE=10uA, IC=0

VCB=60V, IE=0

Collector-Cut off Current

Ta=150 deg C

VCB=60V, IE=0

VCE=60V, VEB=3V

VEB=3V, IC=0

0.3

ICEX

IEBO

IBL

Emitter-Cut off Current

Base-Cut off Current

Collector Emitter Saturation Voltage

VCE=60V, VEB=3V

VCE(Sat)* IC=150mA,IB=15mA

IC=500mA,IB=50mA

1.0

Base Emitter Saturation Voltage

VBE(Sat) * IC=150mA,IB=15mA

IC=500mA,IB=50mA

0.6-1.2

2.0

http://www.bocasemi.com

page 1

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