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2N2218A

更新时间： 2024-01-05 13:43:00

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3页	59K
描述
NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS

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2N2218A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2N2218A 数据手册

NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS

2N2218A

2N2219A

TO-39

Boca Semiconductor Corp.

BSC

Switching And Linear Application DC And VHF Amplifier Applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DESCRIPTION

SYMBOL

2N2218A,19A

UNIT

Collector -Emitter Voltage

Collector -Base Voltage

Emitter -Base Voltage

Collector Current Continuous

Power Dissipation @Ta=25 degC

Derate Above 25deg C

VCEO

VCBO

VEBO

6.0

800

4.57

3.0

mW/deg C

@ Tc=25 degC

Derate Above 25deg C

Operating And Storage Junction

Temperature Range

17.1

-65 to +200

mW/deg C

deg C

Tj, Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

VALUE

MAX

MIN

6.0

UNIT

Collector -Emitter Voltage

Collector -Base Voltage

Emitter-Base Voltage

VCEO

VCBO

VEBO

ICBO

IC=10mA,IB=0

IC=10uA.IE=0

IE=10uA, IC=0

VCB=60V, IE=0

Collector-Cut off Current

Ta=150 deg C

VCB=60V, IE=0

VCE=60V, VEB=3V

VEB=3V, IC=0

0.3

ICEX

IEBO

IBL

Emitter-Cut off Current

Base-Cut off Current

Collector Emitter Saturation Voltage

VCE=60V, VEB=3V

VCE(Sat)* IC=150mA,IB=15mA

IC=500mA,IB=50mA

1.0

Base Emitter Saturation Voltage

VBE(Sat) * IC=150mA,IB=15mA

IC=500mA,IB=50mA

0.6-1.2

2.0

http://www.bocasemi.com

page 1

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