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28LV64A30/VS

更新时间: 2024-09-24 14:46:15
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 212K
描述
8K X 8 EEPROM 3V, 300 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, VSOP-28

28LV64A30/VS 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:8 X 13.40 MM, VSOP-28针数:28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.27
Is Samacsys:N最长访问时间:300 ns
命令用户界面:NO数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:TSSOP28,.53,22封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/3.3 V
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES最大待机电流:0.0001 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.008 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:NO
最长写入周期时间 (tWC):3 msBase Number Matches:1

28LV64A30/VS 数据手册

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