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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | 8 X 13.40 MM, VSOP-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.91 |
| 最长访问时间： | 300 ns | 命令用户界面： | NO |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | TSSOP28,.53,22 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3/3.3 V | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.008 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.55 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | NO | 最长写入周期时间 (tWC)： | 3 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 28LV64A-30I/VS | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM |
|
| 28LV64A-F20/L | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| 28LV64A-F-20/L | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM |
|
| 28LV64A-F20/P | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| 28LV64A-F-20/P | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM |
|
| 28LV64AF-20/P | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 |
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| 28LV64A-F20/SO | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| 28LV64A-F-20/SO | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM |
|
| 28LV64AF-20/SO | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 |
|
| 28LV64A-F-20/TS | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM |
|
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