生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP28,.4 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 200 ns |
其他特性: | MINIMUM 100K WRITE/ERASE CYCLE; 200 YEAR DATA RETENTION | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 数据保留时间-最小值: | 200 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | 长度: | 17.9 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP28,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 2.65 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.008 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | NO | 宽度: | 7.5 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 3 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
28LV64A-20/TS | MICROCHIP |
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64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM | |
28LV64A-20/VS | MICROCHIP |
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64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM | |
28LV64A-20I/L | MICROCHIP |
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64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM | |
28LV64A--20I/L | MICROCHIP |
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64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM | |
28LV64A-20I/P | MICROCHIP |
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64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM | |
28LV64A--20I/P | MICROCHIP |
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64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM | |
28LV64A-20I/SO | MICROCHIP |
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64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM | |
28LV64A--20I/SO | MICROCHIP |
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64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM | |
28LV64A-20I/TS | MICROCHIP |
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64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM | |
28LV64A-20I/VS | MICROCHIP |
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64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM |