是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.91 | 最长访问时间: | 200 ns |
其他特性: | AUTOMATIC WRITE; BULK ERASE; DATA RETENTION > 10 YEARS | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 数据保留时间-最小值: | 10 |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 3.56 mm | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
宽度: | 11.43 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 0.2 ms |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
28C64AFT-20/P | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) CMOS EEPROM | |
28C64AFT-20/SO | MICROCHIP |
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64K (8K x 8) CMOS EEPROM | |
28C64AFT-20/TS | MICROCHIP |
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8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, PDSO28, 8 X 20 MM, TSOP-28 | |
28C64AFT-20I/L | MICROCHIP |
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64K (8K x 8) CMOS EEPROM | |
28C64AFT-20I/P | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) CMOS EEPROM | |
28C64AFT-20I/SO | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) CMOS EEPROM | |
28C64AFT-20I/VS | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, VSOP-28 | |
28C64AFT-20IL | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) CMOS EEPROM | |
28C64AFT-20IP | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) CMOS EEPROM | |
28C64AFT-20ISO | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) CMOS EEPROM |