Datasheet > 存储 > EEPROM> 28C64A-25I/P

28C64A-25I/P

更新时间： 2024-11-24 03:55:55

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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64K (8K x 8) CMOS EEPROM

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28C64A-25I/P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP28,.6
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.91	最长访问时间：	250 ns
其他特性：	AUTOMATIC WRITE; BULK ERASE; DATA RETENTION > 10 YEARS	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	10
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	36.32 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	4.83 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
宽度：	15.24 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	1 ms

28C64A-25I/P 数据手册

Obsolete Device

28C64A

64K (8K x 8) CMOS EEPROM

FEATURES

PACKAGE TYPES

• Fast Read Access Time—150 ns

• CMOS Technology for Low Power Dissipation

- 30 mA Active

RDY/BSY

A12

• 1

28 Vcc

27 WE

26 NC

25 A8

- 100 µA Standby

A1 10

A0 11

NC 12

I/O0 13

29 A8

28 A9

24 A9

• Fast Byte Write Time—200 µs or 1 ms

• Data Retention >200 years

• High Endurance - Minimum 100,000 Erase/Write

Cycles

• Automatic Write Operation

- Internal Control Timer

23 A11

22 OE

21 A10

20 CE

19 I/O7

18 I/O6

17 I/O5

16 I/O4

15 I/O3

27 A11

26 NC

25 OE

24 A10

23 CE

22 I/O7

21 I/O6

I/O0

I/O1

I/O2

V_SS14

- Auto-Clear Before Write Operation

- On-Chip Address and Data Latches

• Data Polling

• Pin 1 indicator on PLCC on top of package

• Ready/Busy

• Chip Clear Operation

• Enhanced Data Protection

- VCC Detector

BLOCK DIAGRAM

I/O0

I/O7

- Pulse Filter

- Write Inhibit

VSS

Data Protection

VCC

Circuitry

Chip Enable/

Output Enable

Control Logic

• Electronic Signature for Device Identification

• 5-Volt-Only Operation

• Organized 8Kx8 JEDEC Standard Pinout

- 28-pin Dual-In-Line Package

- 32-pin PLCC Package

Input/Output

Buffers

Auto Erase/Write

Timing

Data

Poll

Rdy/

Busy

Program Voltage

Generation

- 28-pin SOIC Package

Y Gating

Decoder

• Available for Extended Temperature Ranges:

- Commercial: 0°C to +70°C

16K bit

Cell Matrix

- Industrial:

-40°C to +85°C

Decoder

DESCRIPTION

A12

The Microchip Technology Inc. 28C64A is a CMOS 64K non-

volatile electrically Erasable PROM. The 28C64A is

accessed like a static RAM for the read or write cycles with-

out the need of external components. During a “byte write”,

the address and data are latched internally, freeing the micro-

processor address and data bus for other operations. Fol-

lowing the initiation of write cycle, the device will go to a busy

state and automatically clear and write the latched data using

an internal control timer. To determine when the write cycle

is complete, the user has a choice of monitoring the Ready/

Busy output or using Data polling. The Ready/Busy pin is an

open drain output, which allows easy configuration in wired-

or systems. Alternatively, Data polling allows the user to read

the location last written to when the write operation is com-

plete. CMOS design and processing enables this part to be

used in systems where reduced power consumption and reli-

ability are required. A complete family of packages is offered

to provide the utmost flexibility in applications.

2004 Microchip Technology Inc.

DS11109K-page 1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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