Datasheet > 存储 > EEPROM> 28C256TRT4DE-12

28C256TRT4DE-12

更新时间： 2024-11-06 22:15:55

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麦斯威 - MAXWELL		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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256K EEPROM (32K x 8-Bit) EEPROM

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28C256TRT4DE-12 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.11
最长访问时间：	120 ns	JESD-30 代码：	R-XDIP-T28
长度：	35.56 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	总剂量：	40k Rad(Si) V
宽度：	15.24 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

28C256TRT4DE-12 数据手册

28C256T

256K EEPROM (32K x 8-Bit)

EEPROM

DATA INPUTS/ OUTPUTS

I/ O0 - I/ O7

GND

DATA LATCH

OE, CE, a nd WE

LOGIC

INPUT/ OUTPUT

BUFFERS

Y DECODER

Y-GATING

CELL MATRIX

IDENTIFICATION

ADDRESS

INPUTS

X DECODER

Logic Diagram

FEATURES:

DESCRIPTION:

• RAD-PAK® radiation-hardened against natural space radia-

tion

• Total dose hardness:

Maxwell Technologies’ 28C256T high density 256k-bit

EEPROM microcircuit features a greater than 100 krad (Si)

total dose tolerance, depending upon space mission. The

28C256T is capable of in-system electrical byte and page pro-

grammability. It has a 64-Byte page programming function to

make its erase and write operations faster. It also features

data polling to indicate the completion of erase and program-

ming operations.

- > 100 Krad (Si), dependent upon space mission

• Excellent Single Event Effects:

- SEL LET: > 120 MeV/mg/cm²

- SEU_THLET (read mode): > 90 MeV/mg/cm²

- SEU_THLET (write mode): > 18 MeV/mg/cm²

• Package:

- 28 pin R^AD-PAK® flat pack

- 28 pin R^AD-PAK® DIP

- JEDEC approved byte wide pinout

• High Speed:

- 120, 150 ns maximum access times available

• High endurance:

Maxwell Technologies' patented R^AD-PAK® packaging technol-

ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-

age. It eliminates the need for box shielding while providing

the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space

mission. In a GEO orbit, R^AD-PAK provides greater than 100

krad (Si) radiation dose tolerance. This product is available

with screening up to Class S.

- 10,000 erase/write (in Page Mode), 10-year data

retention

• Page Write Mode:

- 1 to 64 bytes

• Low power dissipation:

- 15 mA active current (cycle = 1 µs)

- 20 µA standby current (CE = V )

02.18.02 Rev 5

All data sheets are subject to change without notice

(858) 503-3300 - Fax: (858) 503-3301- www.maxwell.com

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