Datasheet > 存储 > EEPROM> 28C256TRPDB-12

28C256TRPDB-12

更新时间： 2024-02-02 15:35:18

品牌	Logo	应用领域
麦斯威 - MAXWELL		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
14页	275K
描述
256K EEPROM (32K x 8-Bit) EEPROM

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

28C256TRPDB-12 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.6	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.15
最长访问时间：	120 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-XDIP-T28	长度：	35.56 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
页面大小：	64 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.715 mm
最大待机电流：	0.00002 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	NO	总剂量：	100k Rad(Si) V
宽度：	15.24 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

28C256TRPDB-12 数据手册

28C256T

256K EEPROM (32K x 8-Bit)

EEPROM

DATA INPUTS/ OUTPUTS

I/ O0 - I/ O7

GND

DATA LATCH

OE, CE, a nd WE

LOGIC

INPUT/ OUTPUT

BUFFERS

Y DECODER

Y-GATING

CELL MATRIX

IDENTIFICATION

ADDRESS

INPUTS

X DECODER

Logic Diagram

FEATURES:

DESCRIPTION:

• RAD-PAK® radiation-hardened against natural space radia-

tion

• Total dose hardness:

Maxwell Technologies’ 28C256T high density 256k-bit

EEPROM microcircuit features a greater than 100 krad (Si)

total dose tolerance, depending upon space mission. The

28C256T is capable of in-system electrical byte and page pro-

grammability. It has a 64-Byte page programming function to

make its erase and write operations faster. It also features

data polling to indicate the completion of erase and program-

ming operations.

- > 100 Krad (Si), dependent upon space mission

• Excellent Single Event Effects:

- SEL LET: > 120 MeV/mg/cm²

- SEU_THLET (read mode): > 90 MeV/mg/cm²

- SEU_THLET (write mode): > 18 MeV/mg/cm²

• Package:

- 28 pin R^AD-PAK® flat pack

- 28 pin R^AD-PAK® DIP

- JEDEC approved byte wide pinout

• High Speed:

- 120, 150 ns maximum access times available

• High endurance:

Maxwell Technologies' patented R^AD-PAK® packaging technol-

ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-

age. It eliminates the need for box shielding while providing

the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space

mission. In a GEO orbit, R^AD-PAK provides greater than 100

krad (Si) radiation dose tolerance. This product is available

with screening up to Class S.

- 10,000 erase/write (in Page Mode), 10-year data

retention

• Page Write Mode:

- 1 to 64 bytes

• Low power dissipation:

- 15 mA active current (cycle = 1 µs)

- 20 µA standby current (CE = V )

02.18.02 Rev 5

All data sheets are subject to change without notice

(858) 503-3300 - Fax: (858) 503-3301- www.maxwell.com

12 3 4 5 6 7...14

下载PDF

与28C256TRPDB-12相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
28C256TRPDB-15	MAXWELL	256K EEPROM (32K x 8-Bit) EEPROM	获取价格
28C256TRPDB-20	MAXWELL	EEPROM	获取价格
28C256TRPDE-12	MAXWELL	256K EEPROM (32K x 8-Bit) EEPROM	获取价格
28C256TRPDE-15	MAXWELL	256K EEPROM (32K x 8-Bit) EEPROM	获取价格
28C256TRPDI-12	MAXWELL	256K EEPROM (32K x 8-Bit) EEPROM	获取价格
28C256TRPDI-15	MAXWELL	256K EEPROM (32K x 8-Bit) EEPROM	获取价格

与28C256TRPDB-12相关文章

STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
2024-05-30

15
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
2024-05-30

15
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
2024-05-30

13
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
2024-05-30

10

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

28C256TRPDB-12

28C256TRPDB-12 技术参数

28C256TRPDB-12 数据手册

与28C256TRPDB-12相关器件

与28C256TRPDB-12相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

28C256TRPDB-12

28C256TRPDB-12 技术参数

28C256TRPDB-12 数据手册

与28C256TRPDB-12相关器件

与28C256TRPDB-12相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？