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28C256-12B/XB

更新时间： 2024-02-26 18:31:52

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x8 EEPROM

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28C256-12B/XB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.15
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	AUTOMATIC WRITE	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	36.322 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
页面大小：	64 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.00015 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	15.24 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	2 ms
Base Number Matches：	1

28C256-12B/XB 数据手册

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