Datasheet > 存储 > EEPROM> 28C16AF-20/L

28C16AF-20/L

更新时间： 2024-11-27 03:55:55

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
10页	126K
描述
16K (2K x 8) CMOS EEPROM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

28C16AF-20/L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.83	最长访问时间：	200 ns
其他特性：	AUTOMATIC WRITE; BULK ERASE; DATA RETENTION > 10 YEARS	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.56 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
宽度：	11.43 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	0.2 ms
Base Number Matches：	1

28C16AF-20/L 数据手册

Obsolete Device

28C16A

16K (2K x 8) CMOS EEPROM

FEATURES

PACKAGE TYPES

• 1

24 Vcc

23 A8

• Fast Read Access Time—150 ns

• CMOS Technology for Low Power Dissipation

- 30 mA Active

A1 10

A0 11

NC 12

I/O0 13

29 A8

28 A9

22 A9

21 WE

20 OE

19 A10

18 CE

17 I/O7

16 I/O6

15 I/O5

14 I/O4

13 I/O3

27 NC

26 NC

25 OE

24 A10

23 CE

22 I/O7

21 I/O6

- 100 µA Standby

• Fast Byte Write Time—200 µs or 1 ms

• Data Retention >200 years

• High Endurance - Minimum 10⁴Erase/Write Cycles

• Automatic Write Operation

- Internal Control Timer

I/O0

I/O1

I/O2

V_SS12

- Auto-Clear Before Write Operation

- On-Chip Address and Data Latches

• Data polling

• Pin 1 indicator on PLCC on top of package

BLOCK DIAGRAM

• Chip Clear Operation

• Enhanced Data Protection

- VCC Detector

- Pulse Filter

- Write Inhibit

• Electronic Signature for Device Identification

• 5-Volt-Only Operation

• Organized 2Kx8 JEDEC Standard Pinout

• 24-pin Dual-In-Line Package

• 32-pin PLCC Package

I/O0

I/O7

Data Protection

Circuitry

Chip Enable/

Output Enable

Control Logic

VCC

Input/Output

Auto Erase/Write

Timing

Data

Poll

Buffers

Program Voltage

Generation

• Available for Extended Temperature Ranges:

- Commercial: 0°C to +70°C

- Industrial: -40°C to +85°C

Y Gating

Decoder

DESCRIPTION

16K bit

Cell Matrix

Decoder

The Microchip Technology Inc. 28C16A is a CMOS 16K

non-volatile electrically Erasable PROM. The 28C16A

is accessed like a static RAM for the read or write

cycles without the need of external components. Dur-

ing a “byte write”, the address and data are latched

internally, freeing the microprocessor address and data

bus for other operations. Following the initiation of

write cycle, the device will go to a busy state and auto-

matically clear and write the latched data using an

internal control timer. To determine when a write cycle

is complete, the 28C16A uses Data polling. Data poll-

ing allows the user to read the location last written to

when the write operation is complete. CMOS design

and processing enables this part to be used in systems

where reduced power consumption and reliability are

required. A complete family of packages is offered to

provide the utmost flexibility in applications.

A10

2004 Microchip Technology Inc.

DS11125J-page 1

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与28C16AF-20/L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
28C16AF-20/P	MICROCHIP	获取价格	16K (2K x 8) CMOS EEPROM
28C16AF-20/TS	ETC	获取价格	x8 EEPROM
28C16AF-20/VS	MICROCHIP	获取价格	2K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28
28C16AF-20E/J	ETC	获取价格	x8 EEPROM
28C16AF-20E/K	ETC	获取价格	x8 EEPROM
28C16AF-20E/L	ETC	获取价格	x8 EEPROM
28C16AF-20E/P	ETC	获取价格	x8 EEPROM
28C16AF-20I/J	ETC	获取价格	x8 EEPROM
28C16AF-20I/K	ETC	获取价格	x8 EEPROM
28C16AF-20I/L	MICROCHIP	获取价格	16K (2K x 8) CMOS EEPROM

与28C16AF-20/L相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

46
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

63
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

60

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

28C16AF-20/L

28C16AF-20/L 技术参数

28C16AF-20/L 数据手册

与28C16AF-20/L相关器件

与28C16AF-20/L相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

28C16AF-20/L

28C16AF-20/L 技术参数

28C16AF-20/L 数据手册

与28C16AF-20/L相关器件

与28C16AF-20/L相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？