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28C16AF-20I/VS

更新时间： 2024-11-27 20:15:39
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 64K
描述
2K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28

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28C16AF-20I/VS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最长访问时间：200 ns其他特性：AUTOMATIC WRITE
命令用户界面：NO数据轮询：YES
耐久性：10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：11.8 mm
内存密度：16384 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：2048 words
字数代码：2000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP28,.53,22封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.55 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
宽度：8 mm最长写入周期时间 (tWC)：0.2 ms
Base Number Matches：1

28C16AF-20I/VS 数据手册

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28C16A  
16K (2K x 8) CMOS EEPROM  
FEATURES  
PACKAGE TYPES  
A7  
A6  
• 1  
2
24 Vcc  
23 A8  
• Fast Read Access Time—150 ns  
• CMOS Technology for Low Power Dissipation  
- 30 mA Active  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1 10  
A0 11  
NC 12  
I/O0 13  
5
6
7
8
9
29 A8  
28 A9  
A5  
3
22 A9  
A4  
4
21 WE  
20 OE  
19 A10  
18 CE  
17 I/O7  
16 I/O6  
15 I/O5  
14 I/O4  
13 I/O3  
27 NC  
26 NC  
25 OE  
24 A10  
23 CE  
22 I/O7  
21 I/O6  
A3  
5
- 100 µA Standby  
A2  
6
• Fast Byte Write Time—200 µs or 1 ms  
• Data Retention >200 years  
A1  
7
A0  
8
4
I/O0  
I/O1  
I/O2  
9
• High Endurance - Minimum 10 Erase/Write Cycles  
10  
11  
• Automatic Write Operation  
- Internal Control Timer  
VSS 12  
- Auto-Clear Before Write Operation  
- On-Chip Address and Data Latches  
• Data polling  
• Chip Clear Operation  
• Enhanced Data Protection  
- VCC Detector  
• Pin 1 indicator on PLCC on top of package  
OE  
NC  
A9  
1
2
3
4
5
6
7
28 A10  
27  
CE  
26 I/07  
25 I/06  
24 I/05  
23 I/04  
22 I/03  
A8  
NC  
WE  
Vcc  
- Pulse Filter  
- Write Inhibit  
NC  
NC  
8
9
21 Vss  
20 I/02  
19 I/01  
18 I/00  
17 A0  
16 A1  
15 A2  
A7 10  
A6 11  
A5 12  
A4 13  
A3 14  
• Electronic Signature for Device Identification  
• 5-Volt-Only Operation  
• Organized 2Kx8 JEDEC Standard Pinout  
• 24-pin Dual-In-Line Package  
• 32-pin PLCC Package  
• 28-pin Thin Small Outline Package (TSOP)  
8x20mm  
• 28-pin Very Small Outline Package (VSOP)  
8x13.4mm  
OE  
NC  
A9  
A8  
NC  
WE  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
A10  
CE  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
VSS  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
28  
1
VCC  
NC  
2
3
4
5
6
7
NC  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
• Available for Extended Temperature Ranges:  
- Commercial: 0˚C to +70˚C  
- Industrial: -40˚C to +85˚C  
A1  
A2  
8
BLOCK DIAGRAM  
DESCRIPTION  
I/O0  
I/O7  
The Microchip Technology Inc. 28C16A is a CMOS 16K  
non-volatile electrically Erasable PROM. The 28C16A  
is accessed like a static RAM for the read or write  
cycles without the need of external components. Dur-  
ing a “byte write”, the address and data are latched  
internally, freeing the microprocessor address and data  
bus for other operations. Following the initiation of  
write cycle, the device will go to a busy state and auto-  
matically clear and write the latched data using an  
internal control timer. To determine when a write cycle  
is complete, the 28C16A uses Data polling. Data poll-  
ing allows the user to read the location last written to  
when the write operation is complete. CMOS design  
and processing enables this part to be used in systems  
where reduced power consumption and reliability are  
required. A complete family of packages is offered to  
provide the utmost flexibility in applications.  
VSS  
Data Protection  
VCC  
Circuitry  
Chip Enable/  
Output Enable  
Control Logic  
CE  
OE  
Input/Output  
Buffers  
WE  
Auto Erase/Write  
Timing  
Data  
Poll  
Program Voltage  
Generation  
A0  
Y
Y Gating  
Decoder  
L
a
t
c
h
e
s
16K bit  
X
Decoder  
Cell Matrix  
A10  
1996 Microchip Technology Inc.  
DS11125G-page 1  
This document was created with FrameMaker 4 0 4  
12345678

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