Datasheet > 存储 > EEPROM> 28C16AF-15I/P

28C16AF-15I/P

更新时间： 2024-11-24 03:55:55

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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16K (2K x 8) CMOS EEPROM

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28C16AF-15I/P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP24,.6
针数：	24	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.49	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	150 ns	其他特性：	AUTOMATIC WRITE; BULK ERASE; DATA RETENTION > 10 YEARS
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDIP-T24	JESD-609代码：	e0
长度：	31.75 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	24
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP24,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.83 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.032 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	宽度：	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	0.2 ms	Base Number Matches：	1

28C16AF-15I/P 数据手册

Obsolete Device

28C16A

16K (2K x 8) CMOS EEPROM

FEATURES

PACKAGE TYPES

• 1

24 Vcc

23 A8

• Fast Read Access Time—150 ns

• CMOS Technology for Low Power Dissipation

- 30 mA Active

A1 10

A0 11

NC 12

I/O0 13

29 A8

28 A9

22 A9

21 WE

20 OE

19 A10

18 CE

17 I/O7

16 I/O6

15 I/O5

14 I/O4

13 I/O3

27 NC

26 NC

25 OE

24 A10

23 CE

22 I/O7

21 I/O6

- 100 µA Standby

• Fast Byte Write Time—200 µs or 1 ms

• Data Retention >200 years

• High Endurance - Minimum 10⁴Erase/Write Cycles

• Automatic Write Operation

- Internal Control Timer

I/O0

I/O1

I/O2

V_SS12

- Auto-Clear Before Write Operation

- On-Chip Address and Data Latches

• Data polling

• Pin 1 indicator on PLCC on top of package

BLOCK DIAGRAM

• Chip Clear Operation

• Enhanced Data Protection

- VCC Detector

- Pulse Filter

- Write Inhibit

• Electronic Signature for Device Identification

• 5-Volt-Only Operation

• Organized 2Kx8 JEDEC Standard Pinout

• 24-pin Dual-In-Line Package

• 32-pin PLCC Package

I/O0

I/O7

Data Protection

Circuitry

Chip Enable/

Output Enable

Control Logic

VCC

Input/Output

Auto Erase/Write

Timing

Data

Poll

Buffers

Program Voltage

Generation

• Available for Extended Temperature Ranges:

- Commercial: 0°C to +70°C

- Industrial: -40°C to +85°C

Y Gating

Decoder

DESCRIPTION

16K bit

Cell Matrix

Decoder

The Microchip Technology Inc. 28C16A is a CMOS 16K

non-volatile electrically Erasable PROM. The 28C16A

is accessed like a static RAM for the read or write

cycles without the need of external components. Dur-

ing a “byte write”, the address and data are latched

internally, freeing the microprocessor address and data

bus for other operations. Following the initiation of

write cycle, the device will go to a busy state and auto-

matically clear and write the latched data using an

internal control timer. To determine when a write cycle

is complete, the 28C16A uses Data polling. Data poll-

ing allows the user to read the location last written to

when the write operation is complete. CMOS design

and processing enables this part to be used in systems

where reduced power consumption and reliability are

required. A complete family of packages is offered to

provide the utmost flexibility in applications.

A10

2004 Microchip Technology Inc.

DS11125J-page 1

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