Datasheet > 存储 > EEPROM> 28C04AT-25/L

28C04AT-25/L

更新时间： 2024-11-24 03:55:55

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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描述
4K (512 x 8) CMOS EEPROM

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28C04AT-25/L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	250 ns	其他特性：	10K WRITE/ERASE ENDURANCE MIN; DATA RETENTION >200 YEARS
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	200	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	512 words	字数代码：	512
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512X8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.56 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	宽度：	11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	1 ms	Base Number Matches：	1

28C04AT-25/L 数据手册

Obsolete Device

28C04A

4K (512 x 8) CMOS EEPROM

FEATURES

PACKAGE TYPES

• Fast Read Access Time—150 ns

• CMOS Technology for Low Power Dissipation

- 30 mA Active

DIP

• 1

24 Vcc

23 A8

22 NC

21 WE

20 OE

19 NC

18 CE

17 I/O7

16 I/O6

15 I/O5

14 I/O4

13 I/O3

- 100 µA Standby

• Fast Byte Write Time—200 µs or 1 ms

• Data Retention >200 years

• Endurance - Minimum 10⁴Erase/Write Cycles

- Automatic Write Operation

- Internal Control Timer

I/O0

I/O1

I/O2

V_SS12

- Auto-Clear Before Write Operation

- On-Chip Address and Data Latches

• Data Polling

PLCC

• Chip Clear Operation

29 A8

A1 10

A0 11

28 NC

27 NC

26 NC

25 OE

24 NC

23 CE

22 I/O7

21 I/O6

• Enhanced Data Protection

- VCC Detector

- Pulse Filter

- Write Inhibit

NC 12

I/O0 13

• 5-Volt-Only Operation

• Organized 512x8 JEDEC standard pinout

- 24-pin Dual-In-Line Package

- 32-pin PLCC Package

• Pin 1 indicator on PLCC on top of package

• Available for Extended Temperature Ranges:

- Commercial: 0°C to +70°C

- Industrial: -40°C to +85°C

BLOCK DIAGRAM

I/O0

I/O7

DESCRIPTION

VSS

Data Protection

The Microchip Technology Inc. 28C04A is a CMOS 4K

non-volatile electrically Erasable and Programmable

Read Only Memory (EEPROM). The 28C04A is

accessed like a static RAM for the read or write cycles

without the need of external components. During a

“byte write”, the address and data are latched inter-

nally, freeing the microprocessor address and data bus

for other operations. Following the initiation of write

cycle, the device will go to a busy state and automati-

cally clear and write the latched data using an internal

control timer. To determine when a write cycle is com-

plete, the 28C04A uses Data polling. Data polling

allows the user to read the location last written to when

the write operation is complete. CMOS design and pro-

cessing enables this part to be used in systems where

reduced power consumption and reliability are

required. A complete family of packages is offered to

provide the utmost flexibility in applications.

VCC

Circuitry

Chip Enable/

Output Enable

Control Logic

Input/Output

Buffers

Auto Erase/Write

Timing

Data

Poll

Program Voltage

Generation

Y Gating

Decoder

4K bit

Cell Matrix

Decoder

2004 Microchip Technology Inc.

DS11126H-page 1

12 3 4 5 6 7...10

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