是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 150 ns |
其他特性: | 10K WRITE/ERASE ENDURANCE MIN; DATA RETENTION >200 YEARS | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 数据保留时间-最小值: | 200 |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 31.75 mm |
内存密度: | 4096 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 512 words |
字数代码: | 512 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512X8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP24,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.83 mm | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.032 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
宽度: | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 0.2 ms |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
28C04AF-15I/J | MICROCHIP |
获取价格 |
512 X 8 EEPROM 5V, 150 ns, CDIP24, CERDIP-24 | |
28C04AF-15I/K | MICROCHIP |
获取价格 |
512 X 8 EEPROM 5V, 150 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
28C04AF-15I/L | MICROCHIP |
获取价格 |
4K (512 x 8) CMOS EEPROM | |
28C04AF-15I/P | MICROCHIP |
获取价格 |
4K (512 x 8) CMOS EEPROM | |
28C04AF-20/J | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM | |
28C04AF-20/K | MICROCHIP |
获取价格 |
512 X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
28C04AF-20/L | MICROCHIP |
获取价格 |
4K (512 x 8) CMOS EEPROM | |
28C04AF-20/P | MICROCHIP |
获取价格 |
4K (512 x 8) CMOS EEPROM | |
28C04AF-20I/J | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM | |
28C04AF-20I/K | MICROCHIP |
获取价格 |
512 X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |