Datasheet > 存储 > EEPROM> 28C010TRT4DS-20

28C010TRT4DS-20

更新时间： 2024-11-19 22:15:55

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麦斯威 - MAXWELL		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM

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28C010TRT4DS-20 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP,
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.08	最长访问时间：	200 ns
JESD-30 代码：	R-XDIP-T32	长度：	40.64 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.715 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
总剂量：	40k Rad(Si) V	宽度：	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

28C010TRT4DS-20 数据手册

28C010T

1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM

High Voltage

I/O0

I/O7 RDY/Busy

Generator

RES

I/O Buffer and

Input Latch

Control Logic Timing

RES

Y Decoder

X Decoder

Y Gating

Address

Buffer and

Latch

Memory Array

Data Latch

A16

Logic Diagram

FEATURES:

DESCRIPTION:

• 128k x 8-bit EEPROM

• R^AD-PAK® radiation-hardened against natural space radia-

tion

Maxwell Technologies’ 28C010T high-density 1 Megabit

(128K x 8-Bit) EEPROM microcircuit features a greater than

100 krad (Si) total dose tolerance, depending upon space mis-

sion. The 28C010T is capable of in-system electrical byte and

page programmability. It has a 128-byte page programming

function to make its erase and write operations faster. It also

features data polling and a Ready/Busy signal to indicate the

completion of erase and programming operations. In the

28C010T, hardware data protection is provided with the RES

pin, in addition to noise protection on the WE signal and write

inhibit on power on and off. Software data protection is imple-

mented using the JEDEC optional standard algorithm.

• Total dose hardness:

- > 100 krad (Si), depending upon space mission

• Excellent Single event effects

- SEL > 120 MeV/mg/cm²

- SEU > 90 MeV/mg/cm²read mode

- SEU = 18 MeV/mg/cm²write mode

• Package:

- 32-pin R^AD-PAK® flat pack/DIP package

- JEDEC-approved byte-wide pinout

• High speed:

- 120, 150, and 200 ns maximum access times available

• High endurance:

- 10,000 erase/write (in Page Mode),

- 10 year data retention

• Page write mode:

Maxwell Technologies' patented R^AD-PAK® packaging technol-

ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-

age. It eliminates the need for box shielding while providing

the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space

mission. In a GEO orbit, R^AD-PAK® provides greater than 100

krad(Si) radiation dose tolerance. This product is available

with screening up to Class S.

- 1 to 128 bytes

• Low power dissipation

- 20 mW/MHz active (typical)

- 110 µW standby (maximum)

• Standard JEDEC package width

06.03.03 REV 14

All data sheets are subject to change without notice

(858) 503-3300- Fax: (858) 503-3301 - www.maxwell.com

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