Datasheet > 存储 > EPROM> 27C512A-10/L

27C512A-10/L

更新时间： 2024-11-20 03:55:51

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
10页	133K
描述
512K (64K x 8) CMOS EPROM

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27C512A-10/L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	PLASTIC, LCC-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.35	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	DATA RETENTION >200 YEARS	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.56 mm	最大待机电流：	0.00003 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

27C512A-10/L 数据手册

Obsolete Device

27C512A

512K (64K x 8) CMOS EPROM

FEATURES

PACKAGE TYPES

• High speed performance

PLCC

• CMOS Technology for low power consumption

- 25 mA Active current

- 30 µA Standby current

A11

OE/V^PP

A10

• Factory programming available

• Auto-insertion-compatible plastic packages

• Auto ID aids automated programming

• High speed express programming algorithm

• Organized 64K x 8: JEDEC standard pinouts

- 28-pin Dual-in-line package

DIP/SOIC

- 32-pin PLCC Package

A15

A12

VCC

A14

A13

- 28-pin SOIC package

- Tape and reel

• Data Retention > 200 years

A11

OE/V^PP

A10

• Available for the following temperature ranges

- Commercial:

- Industrial:

0°C to +70°C

-40°C to +85°C

-40°C to +125°C

V^SS

- Automotive:

DESCRIPTION

The Microchip Technology Inc. 27C512A is a CMOS

512K bit electrically Programmable Read Only Memory

(EPROM). The device is organized into 64K words by

8 bits (64K bytes). Accessing individual bytes from an

address transition or from power-up (chip enable pin

going low) is accomplished in less than 90 ns. This

very high speed device allows the most sophisticated

microprocessors to run at full speed without the need

for WAIT states. CMOS design and processing

enables this part to be used in systems where reduced

power consumption and high reliability are require-

ments.

A complete family of packages is offered to provide the

most flexibility in applications. For surface mount appli-

cations, PLCC or SOIC packaging is available. Tape or

reel packaging is also available for PLCC or SOIC

packages.

2004 Microchip Technology Inc.

DS11173G-page 1

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