是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | PLASTIC, DIP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.64 |
最长访问时间: | 90 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | OTP ROMs | 最大压摆率: | 0.065 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
27C512-90I/SO | MICROCHIP |
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64K X 8 OTPROM, 90 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
27C512-90I/TS | MICROCHIP |
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64K X 8 OTPROM, 90 ns, PDSO28, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-28 | |
27C512A | MICROCHIP |
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512K (64K x 8) CMOS EPROM | |
27C512A_04 | MICROCHIP |
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512K (64K x 8) CMOS EPROM | |
27C512A-10/12/15/20/90 | ETC |
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EPROM | |
27C512A-10/J | ETC |
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x8 EPROM | |
27C512A-10/K | ETC |
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x8 EPROM | |
27C512A-10/L | MICROCHIP |
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512K (64K x 8) CMOS EPROM | |
27C512A-10/P | MICROCHIP |
获取价格 |
512K (64K x 8) CMOS EPROM | |
27C512A-10/SO | MICROCHIP |
获取价格 |
512K (64K x 8) CMOS EPROM |