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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 25TTS08SPBF
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25TTS08SPBF

更新时间： 2024-11-04 07:37:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
8页 611K
描述
Surface Mountable Phase Control SCR, 16 A

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25TTS08SPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.18标称电路换相断开时间：110 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：0.0005 V/us
最大直流栅极触发电流：45 mA最大直流栅极触发电压：2.5 V
最大维持电流：100 mAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3最大漏电流：10 mA
湿度敏感等级：1通态非重复峰值电流：350 A
元件数量：1端子数量：2
最大通态电流：16000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：25 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子面层：TIN (SN)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

25TTS08SPBF 数据手册

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VS-25TTS...SPbF High Voltage Series  
Vishay Semiconductors  
Surface Mountable Phase Control SCR, 16 A  
FEATURES  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF  
maximum peak of 260 °C  
Anode  
2
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
definition  
1
3
• Designed and qualified for industrial level  
D2PAK  
Cathode Gate  
APPLICATIONS  
• Input rectification (soft start)  
• Vishay input diodes, switches and output rectifiers which  
are available in identical package outlines  
PRODUCT SUMMARY  
VT at 16 A  
< 1.25 V  
DESCRIPTION  
ITSM  
300 A  
The VS-25TTS...SPbF High Voltage Series of silicon  
controlled rectifiers are specifically designed for medium  
power switching and phase control applications. The glass  
passivation technology used has reliable operation up to  
125 °C junction temperature.  
VRRM  
800 V to 1600 V  
OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS  
APPLICATIONS  
SINGLE-PHASE BRIDGE  
THREE-PHASE BRIDGE  
UNITS  
NEMA FR-4 or G10 glass fabric-based epoxy  
with 4 oz. (140 μm) copper  
3.5  
5.5  
A
Aluminum IMS, RthCA = 15 °C/W  
8.5  
13.5  
25.0  
Aluminum IMS with heatsink, RthCA = 5 °C/W  
16.5  
Note  
TA = 55 °C, TJ = 125 °C, footprint 300 mm2  
•
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
16  
UNITS  
IT(AV)  
Sinusoidal waveform  
A
IRMS  
25  
VRRM/VDRM  
ITSM  
800 to 1600  
300  
V
A
VT  
16 A, TJ = 25 °C  
1.25  
V
dV/dt  
dI/dt  
500  
V/μs  
A/μs  
°C  
150  
TJ  
- 40 to 125  
VOLTAGE RATINGS  
V
RRM, MAXIMUM PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
VDRM, MAXIMUM PEAK  
DIRECT VOLTAGE  
V
IRRM/IDRM,  
AT 125 °C  
mA  
PART NUMBER  
VS-25TTS08SPbF  
VS-25TTS12SPbF  
VS-25TTS16SPbF  
800  
1200  
1600  
800  
1200  
1600  
10  
Document Number: 94383  
Revision: 09-Jun-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
12345678

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25TTS08SPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VS-25TTS08FPPBF VISHAY

功能相似

 Thyristor High Voltage, Phase Control SCR,
TN2540-800G STMICROELECTRONICS

功能相似

 SCR
TN2540-800G-TR STMICROELECTRONICS

功能相似

 25A SCRs

与25TTS08SPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
25TTS08STR VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element,
25TTS08STRL INFINEON

获取价格

 		SURFACE MOUNTABLE PHASE CONTROL SCR
25TTS08STRLPBF VISHAY

获取价格

 		Surface Mountable Phase Control SCR, 16 A
25TTS08STRPBF INFINEON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element,
25TTS08STRPBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element,
25TTS08STRR INFINEON

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 		SURFACE MOUNTABLE PHASE CONTROL SCR
25TTS08STRRPBF VISHAY

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 		Surface Mountable Phase Control SCR, 16 A
25TTS08TRL VISHAY

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