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25LC512T-M/SN

更新时间： 2024-09-24 21:09:03

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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30页	480K
描述
SPI BUS SERIAL EEPROM

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25LC512T-M/SN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOIC-8	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	30 weeks	风险等级：	5.72
最大时钟频率 (fCLK)：	10 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	4.9 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	1	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX1
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
筛选级别：	TS 16949	座面最大高度：	1.75 mm
串行总线类型：	SPI	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

25LC512T-M/SN 数据手册

25LC512

512 Kbit SPI Bus Serial EEPROM

Extended (M) Operating Temperatures

Device Selection Table

Part Number

25LC512

VCC Range

Page Size

Temp. Ranges

Packages

2.5-5.5V

128 Byte

-55°C to +125°C (M)

Features:

Description:

• 10 MHz max. Clock Speed

• Byte and Page-level Write Operations:

- 128-byte page

The Microchip Technology Inc. 25LC512 is a 512 Kbit

serial EEPROM memory with byte-level and page-level

serial EEPROM functions. It also features Page, Sector

and Chip erase functions typically associated with

Flash-based products. These functions are not required

for byte or page write operations. The memory is

accessed via a simple Serial Peripheral Interface (SPI)

compatible serial bus. The bus signals required are a

clock input (SCK) plus separate data in (SI) and data out

(SO) lines. Access to the device is controlled by a Chip

Select (CS) input.

- 5 ms max.

- No page or sector erase required

• Low-Power CMOS Technology:

- Max. Write Current: 7 mA at 5.5V

- Read Current: 10 mA at 5.5V, 10 MHz

- Standby Current: 1 A at 2.5V, 85°C (Deep

power-down)

• Electronic Signature for Device ID

• Self-Timed Erase and Write Cycles:

- Page Erase (5 ms, typical)

Communication to the device can be paused via the

hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-

tions on its inputs will be ignored, with the exception of

Chip Select, allowing the host to service higher priority

interrupts.

- Sector Erase (10 ms/sector, typical)

- Bulk Erase (10 ms, typical)

• Sector Write Protection (16K byte/sector):

- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array

The 25LC512 is available in the 8-lead SOIC package.

• Built-In Write Protection:

- Power-on/off data protection circuitry

- Write enable latch

Package Types (not to scale)

- Write-protect pin

• High Reliability:

- Endurance: 1 Million erase/write cycles

SOIC

(SN)

- Data Retention: >200 years

- ESD Protection: >4000V

VCC

HOLD

SCK

• Temperature Ranges Supported:

- Extended (M):

VSS

-55C to +125C

• RoHS Compliant

Pin Function Table

Name

Function

Chip Select Input

Serial Data Output

VSS

Write-Protect

Ground

Serial Data Input

Serial Clock Input

SCK

HOLD

VCC

Hold Input

Supply Voltage

 2014 Microchip Technology Inc.

DS20005265A-page 1

12 3 4 5 6 7...30

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