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25LC160SN

更新时间： 2024-02-04 03:22:24

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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16页	391K
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2K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8

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25LC160SN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.17
其他特性：	DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES	最大时钟频率 (fCLK)：	2 MHz
数据保留时间-最小值：	200	耐久性：	10000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.9 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.000002 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.005 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

25LC160SN 数据手册

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