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25LC160D-E/MNY

更新时间： 2024-11-21 06:24:03
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
30页 484K
描述
16K SPI Bus Serial EEPROM

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25LC160D-E/MNY 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：HVSSOP, SOLCC8,.11,20针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：29 weeks
风险等级：5.33Is Samacsys：N
最大时钟频率 (fCLK)：5 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4长度：3 mm
内存密度：8192 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
字数：1024 words字数代码：1000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVSSOP
封装等效代码：SOLCC8,.11,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.8 mm
串行总线类型：SPI最大待机电流：0.000005 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：2 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：1

25LC160D-E/MNY 数据手册

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25AA160C/D, 25LC160C/D  
16K SPI Bus Serial EEPROM  
Device Selection Table  
Part Number  
VCC Range  
Page Size  
Temp. Ranges  
Packages  
25LC160C  
25AA160C  
25LC160D  
25AA160D  
2.5-5.5V  
1.8-5.5V  
2.5-5.5V  
1.8-5.5V  
16 Byte  
16 Byte  
32 Byte  
32 Byte  
I,E  
I
P, SN, ST, MS, MN  
P, SN, ST, MS, MN  
P, SN, ST, MS, MN  
P, SN, ST, MS, MN  
I,E  
I
Description:  
Features:  
The Microchip Technology Inc. 25AA160C/D,  
25LC160C/D (25XX160C/D*) are 16 Kbit Serial  
Electrically Erasable PROMs. The memory is accessed  
• Max. Clock 10 MHz  
• Low-Power CMOS Technology:  
- Max. write current: 5 mA at 5.5V  
- Read current: 5 mA at 5.5V, 10 MHz  
- Standby current: 5 uA at 5.5V  
• 2048 x 8-bit Organization  
via  
a
simple Serial Peripheral Interface (SPI)  
compatible serial bus. The bus signals required are a  
clock input (SCK) plus separate data in (SI) and data  
out (SO) lines. Access to the device is controlled  
through a Chip Select (CS) input.  
• 16-Byte Page (‘C’ version devices)  
• 32-Byte Page (‘D’ version devices)  
Communication to the device can be paused via the  
hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-  
tions on its inputs will be ignored, with the exception of  
Chip Select, allowing the host to service higher priority  
interrupts.  
• Self-Timed Erase and Write Cycles (5 ms max.)  
• Block Write Protection:  
- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array  
• Built-In Write Protection:  
The 25XX160C/D is available in standard packages  
including 8-lead PDIP and SOIC, and advanced  
packaging including 8-lead MSOP, TSSOP, and 2x3  
TDFN. All packages are Pb-free and RoHS compliant.  
- Power-on/off data protection circuitry  
- Write enable latch  
- Write-protect pin  
• Sequential Read  
Package Types (not to scale)  
• High Reliability:  
- Endurance: > 1M erase/write cycles  
- Data retention: > 200 years  
- ESD protection: > 4000V  
• Temperature Ranges Supported:  
PDIP/SOIC  
(P, SN)  
TSSOP/MSOP  
(ST, MS)  
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC  
CS  
SO  
WP  
CS  
SO  
WP  
VCC  
1
2
3
4
8
7
6
5
HOLD  
SCK  
SI  
HOLD  
SCK  
SI  
- Industrial (I):  
-40°C to +85°C  
V
SS  
- Automotive (E):  
-40°C to +125°C  
VSS  
• Pb-Free and RoHS Compliant  
TDFN  
(MN)  
1
2
3
4
CS  
SO  
8
7
6
5
VCC  
HOLD  
SCK  
SI  
WP  
VSS  
*25XX160C/D is used in this document as a generic part  
number for the 25AA160C/D, 25LC160C/D devices.  
© 2009 Microchip Technology Inc.  
DS22150A-page 1  
1234567...30

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