是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP8,.3 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.5 |
最大时钟频率 (fCLK): | 20 MHz | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 5.28 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3/5 V | 编程电压: | 2.7 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.03 mm |
串行总线类型: | SPI | 最大待机电流: | 0.000001 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.01 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 5.21 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
写保护: | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
25LC1024-ESM | MICROCHIP |
获取价格 |
1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM | |
25LC1024-I/MF | MICROCHIP |
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1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM | |
25LC1024-I/P | MICROCHIP |
获取价格 |
1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM | |
25LC1024-I/S16K | MICROCHIP |
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1024k, 128K X 8, 2.5V SER EE IND, DIE in WAFFLE PK, -40C to +85C, Die-Waffle, WPAC | |
25LC1024-I/SM | MICROCHIP |
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1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM | |
25LC1024-I/SMG | MICROCHIP |
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128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | |
25LC1024-I/WF16K | MICROCHIP |
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1024k, 128K X 8, 2.5V SER EE IND, WAFER on FR, -40C to +85C, Wafer-Frame, WFRAME | |
25LC1024T-E/MF | MICROCHIP |
获取价格 |
1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM | |
25LC1024T-E/MFG | MICROCHIP |
获取价格 |
128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 6 X 5 MM, PLASTIC, DFN-8 | |
25LC1024T-E/P | MICROCHIP |
获取价格 |
1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM |